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盛美上海(688082)经营总结
截止日期2021-12-31
信息来源2021年年度报告
经营情况第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况 讨论与分析 半导体产业作为全球经济的重要组成部分,产业发展与全球经济状况密切相关。全球疫情发 生后,对半导体芯片的需求日益增加,同时,电动汽车产业、大数据及人工智能的快速发展,对芯片产出的需求量与日俱增。目前,半导体产业链中涉及材料、设备、制造等环节的头部企业的垄断已经形成。近年来,全球主要国家和地区在半导体领域相继发布多项政策,如美国加大半导体和芯片领域投资规模;欧盟扩大半导体产业综合竞争力;日本则加强半导体产业薄弱环节建设,不断促进本国或本地区半导体产业的发展。公司自设立以来,坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略,通过自主研发,建立了较为完善的知识产权体系,凭借丰富的技术和工艺积累,形成了具有国际领先或先进水平的半导体清洗系列设备、半导体电镀设备、立式炉管设备、先进封装湿法设备以及无应力抛光设备等先进技术和产品线,致力于为全球集成电路行业提供先进的设备及工艺解决方案。公司凭借其深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验,掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力,拥有成熟的供应链管理和制造体系,同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借先进的技术和丰富的产品线,已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商,产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可,并取得良好的市场口碑。报告期内,随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升,公司业务开拓迅速,销售收入持续增长,报告期内保持持续盈利。公司连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”,入选首批上海市 “上海市企业重点实验室”,“SAPS兆声波清洗技术”荣获2020年度上海市科技进步奖一等奖,被评为上海市专利示范企业。 (二)报告期内重点任务完成情况 1、生产研发方面 报告期内,公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极 成果。公司通过与全球一线半导体企业的深度合作,有助于公司深入了解市场需求、有针对性地开发创新性解决方案,也提升了公司对新产品、新技术、新市场的理解,提升了公司技术和产品的竞争力。公司在新产品开发上硕果累累。公司3月新发布了高速铜电镀技术,拓展了立式炉半导体设备产品组合以及支持逻辑、存储器和功率器件制造工艺的更多应用;5月,公司SAPS兆声波清洗技术项目荣获2020年上海市科技进步一等奖;8月,公司步入湿法边缘刻蚀领域,新产品支持3D NAND、DRAM和先进逻辑制造工艺,还发布了首台应用于化合物半导体制造中晶圆级封装和电镀应用的电镀设备;9月,公司用于先进逻辑、DRAM和3D-NAND半导体制造的300mm单片高温SPM设备已交货;10月,公司湿法设备2000腔顺利交付。公司产品出货全年超过170台,公司的清洗技术及设备已经可以覆盖80%以上的清洗工艺,镀铜设备出货量达到20台,炉管设备出货量达到8台,平台化公司已初具规模。同时,公司在客户拓展上也取得了良好的业绩。除了已有的长江存储、华虹集团、海力士、中芯国际、长鑫存储、长电科技、通富微电、中芯长电、Nepes、金瑞泓、台湾合晶科技、中科院微电子所、上海集成电路研发中心、华进半导体、士兰微、芯恩半导体、晶合、中科智芯、芯德等主要客户的重复订单之外,2021年公司新增了五家大陆地区以外的知名客户。10月,公司收到亚洲主要集成电路制造商的大马士革电镀设备DEMO订单,也收到全球主要半导体制造商在中国工厂的兆声波单片清洗设备(12腔)DEMO订单;11月,公司用于晶圆级封装的湿法去胶设备获全球IDM大厂在中国工厂的重复订单;12月,公司宣布获得美国主要国际半导体制造商的SAPS单片清洗设备(12腔)2台订单。同时公司也相继发展了多家国内客户。公司通过持续的研发投入和长期的技术、工艺积累,在新产品开发、生产工艺改进等方面形成了一系列科技成果,对公司持续提升产品品质、丰富产品布局起到了关键性的作用。公司取得的科技成果是公司竞争力的重要组成部分,亦是公司产品销售规模得以持续增长的基础。报告期内,公司销售收入为162,086.91万元,呈持续增长的趋势。公司产品的规模化销售是公司科技成果与产业深度融合的具体表征。公司主要产品为半导体清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管设备和先进封装湿法设备,覆盖晶圆制造和先进封装等领域。报告期内,公司产品研发方向符合市场趋势和需求,与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得行业主流客户的认可,客户验证情况良好,增强了公司产品的竞争力。 2、供应保障方面 公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制,使生产所需的零部件 原材料能够及时高效流转,实现产品交付时间的精准性。公司也在持续开发关键零部件的供应商,特别是国内供应商。2021年虽然受到新冠病毒疫情的持续影响,但是在供应商和公司的全力配合下,确保了公司零部件供应的准时供应。 3、运营管理方面 公司在营运管理中采用关键指标管理,尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运 行表现方面设定了一系列的关键考核指标,覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况,并根据统计结果和客户反馈进行内部讨论,制定出关键指标的改进要求。报告期内,公司营运效率持续提高,生产制造缺陷率持续下降、设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。 4、知识产权方面 公司高度重视科技创新和知识产权保护工作,并与员工签订了《保密及知识产权保护协 议》。截至2021年12月31日,公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利347项,其中境内授权专利156项,境外授权专利191项,发明专利共计342项。该等在中国境内已授权的专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。 5、人才建设方面 公司在上海创业伊始,就招聘了一批国内外知名高校的优秀应届毕业生。依托国家02科技 重大专项项目,这批年轻团队成员在盛美历次重大新产品开发和产业化攻关任务中冲锋陷阵,成长为公司的核心骨干,研发实力达到国际一流水平,也是盛美未来挺进全球集成电路装备企业第一梯队攻坚克难的中坚力量。公司将会不断发掘更多优秀人才,维持团队的稳定健康发展。盛美的中层管理团队,几乎都是从基层做起,注重能力和品行的培养。其中,不乏一些学历不高但技能出众的富有工匠精神的特殊人才。盛美也将给予这些人才优厚的工作待遇(包括合理工资及股票期权)和重要岗位,在企业营造了健康向上奋发拼搏的竞争氛围。 6、内部治理方面 公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构,报告期内持续完善公司治理机制,强 化风险管理和内部控制,严格贯彻执行相关制度,切实保障公司和股东的合法权益,为企业持续健康发展提供坚实基础。 7、信息披露及防范内幕交易方面 公司严格遵守法律法规和监管机构规定,严格执行公司信息披露管理制度,真实、准确、完 整、及时、公平地履行信息披露义务,通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸多渠道,保持公司营运透明度。公司高度重视内幕交易防范,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或 服务 电镀设备和先进封装湿法设备等。公司坚持差异化竞争和创新的发展战略,通过自主研发的单片 兆声波清洗技术、单片槽式组合清洗技术、电镀技术、无应力抛光技术和立式炉管技术等,向全球晶圆制造、先进封装及其他客户提供定制化的设备及工艺解决方案,有效提升客户的生产效率、提升产品良率并降低生产成本。2.主要产品公司经过多年持续的研发投入和技术积累,先后开发了单片清洗、槽式清洗以及单片槽式组合清洗等清洗设备,用于芯片制造的前道铜互连电镀设备、后道先进封装电镀设备,以及用于先进封装的湿法刻蚀设备、涂胶设备、显影设备、去胶设备、无应力抛光设备及立式炉管系列设备等。 (1)半导体清洗设备 ①单片清洗设备 公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术,解决了兆声波 技术在集成电路单片清洗设备上应用时,兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化,公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体,最高可单台配置18腔体,有效提升客户的生产效率。 a.SAPS兆声波清洗设备,主要适用于平坦晶圆表面和高深宽比通孔结构内清洗 晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声 波清洗工艺中,不同工序后应力带来的晶圆翘曲,使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同,因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同,无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差,也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器,通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数,通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动,使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同,从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。 b.TEBO兆声波清洗设备,主要适用于图形晶圆包括先进3D图形结构的清洗 公司自主研发的TEBO清洗设备,可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗,通过一系列快速 (频率达到每秒一百万次)的压力变化,使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡,将气泡控制在稳定震荡状态,而不会内爆,从而保持晶圆微结构不被破坏,对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备,在器件结构从2D转换为3D的技术转移中,可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品,以及未来新型纳米器件和量子器件等,在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。②单片槽式组合清洗设备公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块:槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除,刻蚀后清洗,离子注入后清洗,机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片清洗设备相媲美,与此同时,与单片清洗设备相比,还可大幅减少硫酸使用量,帮助客户降低了生产成本又能更好的符合节能减排的政策。该设备已完成客户端验证,进入量产阶段。③单片背面清洗设备公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘,应用空气动力学悬浮原理,使用机械手将晶圆送入腔体后,使晶背朝上,晶圆正面朝下,在工艺过程中,精准流量控制的高纯氮气通过卡具下方的气体管路和卡盘表面一圈的环形小孔源源不断地输入晶圆与卡具之间的空隙中。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。④前道刷洗设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗,可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序;设备占地面积小,产能高,稳定性强,多种清洗方式灵活可选。可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。⑤全自动槽式清洗设备公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺,采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂,与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合,再配以先进的常压IPA干燥技术及先进的低压IPA干燥技术,能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高,设备稳定性好,清洗效率高,金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺。2021年完成了14台槽式清洗机的设计组装和测试工作,其中10台已经运到客户端进行产品片的工艺验证和量产。其中包含了两台使用最新研发的低压IPA干燥技术和一台200mm全自动槽式清洗设备。 (2)半导体电镀设备 公司自主研发的具有全球知识产权保护的电镀设备已获得下游客户的验证,用于后道先进封 装的电镀设备已进入市场并获得重复订单。报告期内,已实现客户端设备量产验证并量产:完成4台半导体电镀设备,其中,3台Ultra ECP map电镀设备,1台Ultra ECP 3d电镀设备量产验证并进入量产,应用于28nm,40nm,55nm,65nm技术节点和TSV A:R=10:10工艺。①前道铜互连电镀铜设备公司是目前全球少数几家掌握芯片铜互连电镀铜技术核心专利并实现产业化的公司之一。公司自主开发针对28-14nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术Ultra ECP map。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法,实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换,可在超薄籽晶层(5nm)上完成无空穴填充,同时通过对不同阳极的电流调整,在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性,可满足先进工艺的镀铜需求。②后道先进封装电镀设备公司在半导体先进封装领域进行差异化开发,解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题,并采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制,可以达到更好的片内均匀,实现高电流密度条件下的电镀,凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。公司自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果,避免电镀液泄露和镀出问题。 (3)半导体抛铜设备 ①前道铜互连抛铜设备 公司经过研究发现,使用SFP工艺可以对钌表面进行电解氧化,然后再使用稀氢氟酸刻蚀, 可以达到无机械应力情况下很好的钌金属层去除效果,解决了微细铜线及周边介电质材料的破坏难题。该技术可用于5nm及3nm技术节点以下的铜互连工艺,同时,因为没有机械应力,可以更加容易把超低K介电质(K<2)与铜线集成,从而提高芯片的运算速度。②后道先进封装无应力抛铜设备公司针对先进封装中3D TSV、2.5D硅中介层、RDL、HD Fan-out等金属层平坦化应用,自主研发了具有全球知识产权保护的无应力抛光设备,该设备具有工艺无应力、抛光电化学液可重复使用从而降低耗材成本和工艺环保排放少等特点。 (4)先进封装湿法设备 公司坚持差异化竞争战略,基于先进的集成电路前端湿法清洗设备的技术,将产品应用拓展 至先进封装应用领域。以先进封装的凸块(bumping)封装的典型工艺流程为例,在整个工艺流程中涉及的单片湿法设备包括清洗设备、涂胶设备、显影设备、去胶设备、湿法刻蚀设备、无应力抛光设备等。目前公司在先进封装行业的产品领域已覆盖全部单片湿法设备,产品先后进入封装企业生产线及科研机构,包括长电科技、通富微电、中芯长电、Nepes、华进半导体和中国科学院微电子研究所等知名封装企业和科研院所。 (5)立式炉管设备 公司研发的立式炉管设备主要由晶圆传输模块,工艺腔体模块,气体分配模块,温度控制模 块,尾气处理模块以及软件控制模块所构成,针对不同的应用和工艺需求进行设计制造,首先集中在炉管LPCVD设备,再向氧化炉和扩散炉发展,最后逐步进入到炉管ALD设备应用。 (二) 主要经营模式 1.盈利模式 公司作为一家面向国际科技前沿、坚持自主创新的半导体专用设备企业,遵循全球行业惯 例,主要从事技术和工艺研发、产品设计和制造,为客户提供设备和工艺解决方案。公司自身几乎不从事零部件加工业务,公司根据对产品的设计,组织零部件外购及外协,在美国、韩国、中国大陆建立了完善的供应链体系,与核心供应商建立了密切的合作关系,保障了对重要零部件的供应。公司通过长期研发积累形成的技术优势,保持较高的产品毛利,进而保持较高比例的研发投入及市场开拓,在报告期内实现了较高的利润率。2.研发模式公司主要采用自主研发的模式。公司研发部门以半导体专用设备国际技术动态、客户需求为导向,采用差异化竞争的策略,依靠具有丰富经验的国际化研发团队,研发新工艺、新技术,完成技术方案的验证,并在全球主要半导体生产国家及地区申请专利保护,把研发成果快速产业化,取得了一系列的技术创新和突破。此外,公司在韩国组建了专业的研发团队,结合中国上海以及韩国双方研发团队的各自优势,共同研发用于公司产品的差异化相关技术,提升公司产品性能。公司制定了《研发项目管理办法》,对研发项目的立项、审批、执行等流程进行了规定。未来公司将继续吸引国内外的优秀人才,扩大充实公司世界一流的研发团队,为全球客户不断地提供最好的工艺解决方案。3.采购模式为保障公司产品质量和性能,公司建立了完善的采购体系,要求供应商填写《供方调查表》,建立供应商档案,了解供应商的人员情况、生产能力、设计能力、财务情况、关键零部件供应商情况、生产和检测设备情况等,对供应商的产品技术与质量、按时交货能力和售后服务等进行综合评估,最终确定合格供应商,纳入合格供应商名单。目前,公司已与主要供应商建立了稳定的长期合作关系。公司在韩国和美国分别组建了原材料采购团队,并成立了盛美韩国和盛美加州,依靠韩国和美国较为发达和完善的半导体产业链,负责公司部分原材料的境外采购。4.生产模式公司产品均为根据客户的差异化需求,进行定制化设计及生产制造,主要采取以销定产的生产模式,按客户订单组织生产。公司制造部根据市场预测或客户的非约束性预测,编制年度生产计划,并结合客户订单情况编制每月生产计划。公司研发设计工程师根据客户订单提供装配图纸,分发到仓库和生产车间,进行仓库领料、配料和装配,预装配并预检合格后,交由生产线组装,并进行各模块的功能测试,测试合格后,下线发货。公司对外协加工的质量严格把关,与外协厂商建立了多年稳定的合作关系,确保符合客户的差异化需求。5.销售模式公司自设立以来,始终坚持全球化发展战略,客户主要位于中国大陆、中国台湾、韩国等国家和地区。公司的市场开拓策略为:首先开拓全球半导体龙头企业客户,通过长时间的研发和技术积累,取得其对公司技术和产品的认可,以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉,持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。经过多年的努力,公司已与海力士、长江存储、华虹集团、中芯国际及长电科技等国内外半导体行业龙头企业形成了较为稳定的合作关系。公司通过直销模式销售产品,不存在分销和经销模式。报告期内,公司通过委托代理商推广、与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 (1)行业发展态势与面临的机遇 ①半导体应用和消费市场需求长期保持增长 随着中国成为世界电子信息产品最重要的生产基地之一,越来越多的国际半导体企业向中国转移产能,持续的产能转移不仅带动了中国大陆半导体整体产业规模和技术水平的提高,为半导体专用设备制造业提供了巨大的市场空间,也促进了中国半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展,半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。据SEMI的《全球半导体设备市场统计报告》,2020年全球半导体设备的销售规模为712亿美元,创历史最高,比2019年(598亿美元)增长19%。据SEMI预测,2021年全球半导体设备销售额将达到953亿美元,同比增长34.1%,预测2022年全球半导体设备销售额再增长11%。②全球半导体行业区域转移半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用广泛等特点,叠加下游新兴应用市场的不断涌现,半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越来越明确。目前,全球半导体行业正在开始第三次产业转移,即向中国大陆转移。受益于半导体产业加速向中国大陆转移,中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场,中国半导体产业的规模不断扩大,随着国际产能不断向中国转移,半导体企业纷纷在中国投资建厂,中国大陆半导体专用设备需求将不断增长。 (2)半导体专用设备行业特点 ①半导体专用设备在半导体产业链中的地位至关重要 半导体专用设备在半导体行业产业链中占据重要的地位。半导体专用设备的技术复杂,客户对设备的技术参数、运行的稳定性有苛刻的要求,以保障生产效率、质量和良率。集成电路制造工艺的技术进步,反过来也会推动半导体专用设备企业不断追求技术革新。同时,集成电路行业的技术更新迭代也带来对于设备投资的持续性需求,而半导体专用设备的技术提升,也推动了集成电路行业的持续快速发展。②半导体专用设备技术壁垒高,通过客户验证难度大半导体专用设备行业为技术密集型行业,生产技术涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识的综合运用。半导体专用设备行业的国际巨头企业的市场占有率很高,特别是在光刻机、检测设备、离子注入设备等方面处于垄断地位,且其在大部分技术领域已采取了知识产权保护措施,因此半导体专用设备行业的技术壁垒非常高。中国大陆少数企业经过了十年以上的技术研发和工艺积累,在部分领域实现了技术突破和创新,在避免知识产权纠纷的前提下,成功推出了差异化的产品,得到国内外客户的认可,产品走向了国际市场。半导体专用设备价值较高、技术复杂,对下游客户的产品质量和生产效率影响较大。半导体行业客户对半导体专用设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的要求,对新设备供应商的选择也较为慎重。一般选取行业内具有一定市场口碑和市占率的供应商,并对其设备开展周期较长的验证流程。因此,半导体专用设备企业在客户验证、开拓市场方面周期较长、难度较大。 (3)集成电路设备行业技术门槛高,公司的技术水平与国际巨头仍有差距,需加快技术研 发与产业化进程。当今国际先进水平的集成电路设备涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识综合运用及动态密封技术、超洁净室技术、微粒及污染分析技术等多种尖端制造技术。因此,集成电路设备具有技术含量高、制造难度大、设备价值高和行业门槛高等特点,被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。2. 公司所处的行业地位分析及其变化家公司合计市场占有率达到90%以上,其中DNS市场份额最高,市场占有率在40%以上。本土12英寸晶圆厂清洗设备主要来自DNS、盛美、LAM、TEL。目前,中国大陆能提供半导体清洗设备的企业较少,主要包括盛美上海、北方华创、芯源微及至纯科技。公司的2018年销售额突破5亿元,2020年销售突破10亿元,比2019年7.57亿元销售额增长32%,位列全国集成电路设备企业前三;具备了成为国际领先集成电路设备企业的基础和潜力。根据中银证券专题报告的历年累计数据统计显示,公司清洗设备的国内市占率为23%;而Gartner2020年数据显示,公司在全球清洗设备的市场份额已升至4%,其中单片、槽式清洗设备的全球市场份额达到5.2%。除清洗设备外,公司亦积极扩大产品组合,在半导体电镀设备、半导体抛铜设备、先进封装湿法设备、立式炉管设备等领域扩大布局。2020年中国大陆半导体专用设备制造五强企业中,公司位列其中。 (四) 核心 技术与研发 进展 1. 核心技术 及其 先进性 以及报告期内 (1)核心技术情况 公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备,通过多年的技 术研发,公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术,并在持续提高设备工艺性能、产能,提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估,并出具了《关于盛美半导体设备(上海)股份有限公司核心技术的评估》,盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得,与国内外知名设备厂商相比,部分核心技术已达到国际领先或国际先进一.SAPS兆声波清洗技术国际先进二.TEBO兆声清洗技术国际领先三.单晶圆槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术国际领先抛光设备四.无应力抛光技术国际领先电镀铜设备五.多阳极电镀技术国际先进 (2)公司的技术先进性及具体表征 ①SAPS兆声波清洗技术 针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题,公司开发了SAPS兆声波清洗 技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz,最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动,使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同,不受晶圆翘曲的影响,并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明,SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内,实现了兆声波能量的安全可控。②TEBO兆声波清洗技术随着芯片技术节点进一步缩小,以及深宽比进一步增大,图形晶圆清洗的难度变大。当芯片技术节点进一步延伸至20nm以下,以及图形结构向多层3D发展后,传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应,造成气泡破裂,从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。公司自主研发的TEBO清洗设备,可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗,通过一系列快速(频率达到每秒一百万次)的压力变化,使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡,将气泡控制在稳定震荡状态,而不会内爆,从而保持晶圆微结构不被破坏,对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备,在器件结构从2D转换为3D的技术转移中,可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品,以及未来新型纳米器件和量子器件等,在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。③单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术公司研发的单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备,此设备集成了单腔体清洗模块和槽式清洗模块,可用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺,尤其可用于高温硫酸工艺。综合了槽式和单片的优势,取长补短,在同一台设备中分步完成槽式清洗和单片清洗工序,既大量节省了硫酸使用量,也保证的良好的清洗效果,实现了绿色工艺,成本节约,环境友好的技术突破,解决了困扰业界多年的硫酸消耗量大的难题。④无应力抛光技术公司研发的无应力抛光技术,将阴极设计为惰性金属电极,将具有金属铜膜的晶圆连接到阳极,利用电解反应过程,使晶圆上的铜膜失去电子,形成铜离子进入到电解质溶液(抛光液)中,在阴极处会有氢气生成。随着电解过程的进行,晶圆表面铜膜逐渐溶解在抛光液中,从而达到了对表面铜膜的抛光作用。⑤多阳极局部电镀技术公司研发的多阳极局部电镀技术,可独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区,从而控制晶圆表面的电场及电流分布,使电镀电源控制的响应时间精确控制,使在超薄仔晶层上的电镀铜膜均匀度提高,完成纳米级小孔的无孔穴填充电镀。该技术设置独立电镀液流场控制系统,单独控制向各个阳极提供电镀液,精确控制电镀腔内的流体场,独立控制晶圆切入系统,控制晶圆进入电镀液的关键参数,减少电镀时产生的缺陷。配合多阳极智能电源,实现智能入水电流保护。境内授权专利156项,境外授权专利191项,其中发明专利共计342项。该等在中国境内已授权的专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。报告期内获得的知识产权列表本年新增累计数量申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)发明专利实用新型专利外观设计专利软件著作权其他合计3. 研发投入情况表2021年度研发投入总额为2.78亿元,较2020年研发投入总额增长97.74%。主要是随着现有产品改进及工艺开发以及新产品及新工艺开发,相应研发物料消耗增加,聘用的研发人员人数以及支付研发人员的薪酬增加。研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明□适用√不适用4. 在研面和深孔内的清洗;抛光和外延工艺后的清洗。ECP电化学电镀技术完成28nm工艺验证并进入生产线量产阶段;14nm及以下工艺正在工艺验证14nm及以下工艺量产达到国际先进水平应用1:逻辑和存储产品:公司研发前道电镀设备ECP map可应用于28nm以上节点的12英寸晶圆制造,以及更先进的技术节点;在应用广度方面,ECP map设备可应用于具有3D结构的FinFET、DRAM和3DNAND等产品,以及未来新型纳米器件和量子器件等的金属线互连。应用2:晶圆级先进封装:公司研发先进封装电镀设备ECP ap可应用于主要应用于先进封装Pillar Bump、RDL、HD Fan-Out和TSV中的铜、镍、锡、银、金等电镀工艺。应用3:三维堆叠:公司研发三维堆叠电镀设备ECP 3d可应用于3D TSV及2.5DInteposer工艺中高深宽比深孔铜电镀工艺。应用4:第三代半导体电镀工艺以及设备。可应用于SiC, GaN 第三代半导体以及其他化合物半导体金属层沉积以及先进封装可以电镀金膜,深孔镀金以及Cu,Ni,SnAg 等金属的电镀工艺。Wet Bench槽式清洗技术65/55nm工艺量产40/28nm及以下工艺量产;3DNAND工艺量产达到国内领先水平槽式清洗。背面清洗技术Backside28nm工艺量产14nm及以下工艺量产达到国内领先水平背面薄膜去除、晶圆背面的多晶硅腐蚀和晶背减膜等工艺,主要性能指标达到国际先进水平,适用于55nm及以上、40nm、28nm技术节点。TEBO兆声波清洗技术28nm工艺验证14nm及以下工艺量产达到国际先进水平针对未来清洗技术的难点,比如细微脆弱结构清洗、高深宽比结构清洗、微小颗粒去除以及材料损失控制等,基于目前的TEBO 兆声清洗技术,研发应用拓展至更小尺寸以及更高深宽比的结构,以及针对不同尺寸和不同结构的声波控制模型,配合极稀释药液的TEBO清洗工艺,用于控制更少的材料损失。Tahoe单片槽式组合清洗设备研发与产业化正在进行40nm及28nm的工艺验证28nm及以下工艺量产全球首创,初步数据显示清洗效率与单片高温硫酸清洗设备相当,可大幅节省硫酸用量用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺:(1)降低运营成本:与现阶段的单片高温硫酸清洗设备相比,可大幅减少高温硫酸使用量;(2)减少排放,有益于环保;(3)整合槽式和单片清洗工艺,减少工艺步骤,提高工艺性能,缩短产品生产周期。SFP无应力铜抛光技术正在进行5nm以下工艺验证5nm以下工艺量产创新技术路线等待验证;目标达到国际同行业企业同等水平应用1:前道铜互连平坦化:整合无应力铜抛光SFP Ruk工艺与湿法刻蚀工艺,可用于12英寸晶圆生产线的5nm以下工艺铜互连结构钌阻挡层去除:(1)解决化学机械研磨对钌阻挡层去除速率低问题;(2)减少环境污染,回收利用电化学抛光液和湿法刻蚀液,减少排放,降低工艺成本。应用2:先进封装金属层平坦化:SFP ap无应力铜抛光设备工艺与湿法刻蚀工艺相结合,可用于RDL、HD Fan-Out、TSV结构金属铜层及其阻挡层平坦化工艺:(1)工艺无应力(2) 减少化学机械研磨液使用量,减少排放,降低工艺成本,保护环境。全自动槽式磷酸清洗技术工艺验证阶段量产目标达到国际同行业企业同等水平12英寸晶圆生产线的前端热磷酸氮化物薄膜湿法刻蚀工艺。Furnace立式炉管技术部分工艺量产90-14nm工艺量产等待工艺及可靠性结果可用于12英寸晶圆生产线,主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺:(1)晶圆自动传输模块; (2)工艺腔体模块,包括真空室、 加热炉;(3)反应气体气路控制及 分配模块;(4)温度控制模块; (5)尾气处理模块;(6)软件控制 模块,并将应用领域向氧化和扩散炉 发展,最后进入ALD应用。面向半导体设备的聚四氟乙烯腔体制造工艺的研发及产业化进行工艺验证量产应用达到行业先进水平通过开发和优化模压、烧结和机加工工艺,实现可应用于公司产品零部件的PTFE材料生产工艺。立式炉管ALD薄膜沉积设备技术设备正在进行工程设计阶段28及以下工艺量产目标达到国际同行业企业同等水平可用于12英寸晶圆生产线,主要实现原子层沉积的SiO2和SiN薄膜在晶圆表面的沉积工艺以满足先进芯片生产工艺对薄膜质量的超高要求。边缘清洗蚀刻设备系统研制和开发工艺验证28nm及以下工艺量产等待工艺及可靠性结果可用于12英寸晶圆生产线,主要实现边缘光阻剂膜去除、边缘污染物去除、边缘氧化物的去除。单片高温SPM清洗设备系统研制和开发进行工艺验证28nm及以下工艺量产目标达到国际同行业企业同等水平用于12英寸晶圆生产线,主要实现有机物如光刻胶去除、金属残留物去除工艺。超临界CO2干燥设备系统研制和开发完成设计19nm及以下DRAM工艺量产目标达到国际同行业企 业同等水平可用于12英寸晶圆DRAM或先进制程的Logic生产线高深宽比结构图形的清洗和干燥工艺 。合计/////情况说明上述累计投入金额包含子公司研发项目投入。5. 研发量的平均数计算。研发人员学历结构学历结构类别学历结构人数博士研究生硕士研究生本科专科高中及以下研发人员年龄结构年龄结构类别年龄结构人数30岁以下(不含30岁)30-40岁(含30岁,不含40岁)40-50岁(含40岁,不含50岁)50-60岁(含50岁,不含60岁)60岁及以上研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响□适用√不适用6. 其他说明。 五、报告期内主要经营情况 报告期内,公司实现营业收入16.21亿元,较上年同期增长60.88%;归属于上市公司股东 的净利润为2.66亿元,较上年同期增长35.31%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.95亿元,较上年同期增长110.67 %。 (一) 主营业务分析 1. 利润表及现金流量表相关科目变动分析表 单位:元币种:人民币科目本期数上年同期数变动比例(%)营业收入1,620,869,141.671,007,471,809.80营业成本931,440,396.51566,422,360.10销售费用158,887,812.23105,639,504.93管理费用64,108,924.8750,318,924.37财务费用8,381,378.3532,371,427.01研发费用278,394,178.76140,791,112.52经营活动产生的现金流量净额-189,182,778.11-88,244,945.02不适用投资活动产生的现金流量净额-69,597,878.78-260,149,794.08不适用筹资活动产生的现金流量净额3,394,744,863.29188,575,602.501,700.20营业收入变动原因说明:营业收入较上年同比上升60.88%,主要是市场需求扩大,销售订单及产能均持续增长,营业收入进一步提升所致。营业成本变动原因说明:营业成本较上年同比上升64.44%,主要是营业成本随营业收入增长而增加。销售费用变动原因说明:销售费用较上年同比上升50.41%,主要是售后服务费及销售佣金随营业收入的增长而增加,以及销售和售后服务人员数量增加且因业绩增长工资、奖金有所提高,使得销售和售后服务人员工资薪金增加。财务费用变动原因说明:财务费用较上年同比下降74.11%,主要是本期汇兑损失减少所致。研发费用变动原因说明:研发费用较上年同比上升97.74%,主要是随着现有产品改进及工艺开发以及新产品及新工艺开发,相应研发物料消耗增加,聘用的研发人员人数以及支付研发人员的薪酬增加。经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:经营活动产生的现金流量净额较上年同比下降,主要是因销售订单增长引起的本期购买原材料支付的现金较上期增加以及支付职工薪酬较上期增长所致。投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:投资活动产生的现金流量净额较上年同比增加,主要是上期投资活动现金支出中包含购买临港公租房支出,本期仅有公租房贷款利息支出;以及上期包含购买临港土地使用权和投资中芯国际产生现金支出,本期无此支出。筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:筹资活动产生的现金流量净额较上年同比增加1700.20%,主要是公司收到首次公开发行股票募集资金所致。本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明2. 收入和成本分析2021年公司营业收入为16.21亿元,同比增长60.88%,主要原因是市场需求扩大,销售订单及产能均持续增长,营业收入进一步提升。公司继续产品多元化的发展策略,公司2021年半导体清洗设备、半导体电镀设备、先进封装湿法设备的营业收入均有较大增长。 (1). 主营业务 分 行业 、分 产品主营业务分行业变动说明:公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售。受益于半导体产业市场需求的持续增长以及公司产品竞争优势,2021年公司主营业务收入为15.47亿元,同比增长58.64%,主营业务成本为9.08亿元,同比增长62.38%。主营业务分产品变动说明:受益于半导体行业景气以及公司产品结构多元化的发展策略,公司2021年半导体清洗设备收入为10.56亿元,同比增长约29.34%;公司2021年其他半导体设备(电镀、立式炉管、无应力抛铜等设备)收入为2.74亿元,同比增长约352.44%;公司2021年先进封装湿法设备收入为2.18亿元,同比增长约120.95%。相应主营业务成本随着主营业务收入的增长而增加。主营业务分地区变动说明:公司2021年中国大陆区域内主营业务收入为15.29亿元,同比增长58.88%,主营业务成本相应增长62.10%;中国大陆区域外主营业务收入为0.18亿元,同比增长41.14%。主营业务销售模式说明:公司通过直销模式直接与客户签订合同,2021年公司主营业务收入为15.47亿元,同比增长58.64%,主营业务成本为9.08亿元,同比增长62.38%。 (2). 产销量情况 分析表 主要产品 单位 生产量 销售量 库存量 生产量比上 年增减 (%) 销售量比上 年增减 (%) 库存量比上 年增减 (%) 半导体清洗 设备 台 其他半导体 设备(电镀、 立式炉管、无应力抛铜等设备)台先进封装湿法设备台合计产销量情况说明受益于半导体设备市场发展及公司产品竞争优势和公司产能扩张,2021年公司生产量和销售量均有大幅提升。 (3). 重大采购合同、重大销售合同的履行情况 (4). 成本分析表 单位: 元 分行业情况 分行业 成本构成项 目 本期金额 本期占总 成本比例 (%) 上年同期金额 上年同期 占总成本 比例(%) 本期金额较 上年同期变 动比例(%) 公司主营业务成本由直接材料、直接人工及制造费用构成。报告期内,随着公司业务规模的 扩大,各类型成本相应增长。 (5). 报告期 主要子公司股权变动导致合并范围变化 (6). 公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 (7). 主要销售客户及主要供应商情况 前五名客户销售额89,104.45万元,占年度销售总额54.97%;其中前五名客户销售额中关联 方销售额0万元,占年度销售总额0 %。公司前五名客户报告期内,公司不存在向单个客户的销售比例超过总额的50%或严重依赖于少数客户的情形,其中客户一、客户二、客户三、客户四均为上年同期前五名客户,客户五为新进入前五大客户。前五名供应商采购额47,572.33万元,占年度采购总额27.09%;其中前五名供应商采购额中关联方采购额21,710.41万元,占年度采购总额12.36%。公司前五名供应商报告期内,公司不存在向单个供应商的采购比例超过总额的50%或严重依赖于少数供应商的情形,其中供应商一和供应商五为上年同期前五名供应商,供应商二、供应商三和供应商四为新进入前五大供应商。3. 费用科目本期金额上年同期额变动比例(%)情况说明销售费用158,887,812.23105,639,504.93主要是售后服务费及销售佣金随营业收入的增长而增加,以及销售和售后服务人员数量增加且因业绩增长工资、奖金有所提高,使得销售和售后服务人员工资薪金增加。管理费用64,108,924.8750,318,924.37主要是因业务规模扩大产生的管理需求,聘用的管理人员数量增加,公司支付给管理人员的职工薪酬提高增加,以及因审计、法律顾问等工作聘请了中介机构,中介机构费增加。研发费用278,394,178.76140,791,112.52主要是随着现有产品改进及工艺开发以及新产品及新工艺开发,相应研发物料消耗增加,聘用的研发人员人数以及支付研发人员的薪酬增加。财务费用8,381,378.3532,371,427.01主要是本期汇兑损失减少所致。所得税费用2,495,661.9726,254,132.96主要是已行权的股权激励而引起的本期企业所得税税前扣除金额的增加以及本期间接持有的中芯国际股票公允价值变动收益减少所致。4. 现金流科目本期金额上年同期额变动比例(%)情况说明经营活动产生的现金流量净额-189,182,778.11-88,244,945.02不适用主要是因销售订单增长引起的本期购买原材料支付的现金较上期增加以及支付职工薪酬较上期增长所致。投资活动产生的现金流量净额-69,597,878.78-260,149,794.08不适用主要是上期投资活动现金支出中包含购买临港公租房支出,本期仅有公租房贷款利息支出;以及上期包含购买临港土地使用权和投资中芯国际产生现金支出,本期无此支出。筹资活动产生的现金流量净额3,394,744,863.29188,575,602.50主要是公司收到首次公开发行股票募集资金所致。 (二) 非主营业务导致利润重大变化的说明 科目 (三) 资产、负债情况分析 1. 资产 及 负债 状 况 (1) 交易性金融资产 188,126,051.82 184,208,918.79 应收账款 542,192,682.46 256,075,757.62 (2) 预付款项 103,736,288.12 35,760,885.14 (3) 其他应收款 56,227,461.31 34,713,166.21 (4) 存货 1,443,333,238.01 614,869,365.46 (5) 其他流动资产 71,104,045.23 24,666,762.37 (6) 长期股权投资 51,500,283.22 30,488,610.34 (7) 其他非流动金融 资产 9,999,976.95 (8) 固定资产 38,941,564.73 28,114,683.89 (9) 在建工程 35,745,956.86 14,371,605.82 (10) 使用权资产 26,364,959.89 (11) 无形资产 64,694,880.80 66,538,187.71 长期待摊费用 14,756,773.02 10,526,954.10 (12) 递延所得税资产 3,094,633.54 2,299,731.45 (13) 其他非流动资产 285,064,178.94 269,621,198.09 短期借款 61,718,178.74 171,753,542.58 (14) 应付账款 733,425,990.99 291,942,188.20 (15) 合同负债 364,304,106.54 86,017,842.49 (16) 应付职工薪酬 35,042,630.41 19,601,166.54 (17) 应交税费 8,545,940.93 3,757,755.08 (18) 其他应付款 27,459,738.45 11,057,657.83 (19) 一年内到期的非 流动负债 29,770,989.50 10,458,460.32 (20) 其他流动负债 4,348,980.26 长期借款 146,411,940.84 117,280,857.74 租赁负债 12,511,915.14 (21) 长期应付职工薪 酬 3,223,632.94 1,839,426.56 (22) 预计负债 42,817,891.40 30,067,131.50 (23) 递延收益 50,650,225.51 51,074,327.14 递延所得税负债 2,220,145.52 其他说明 相关数据同比发生变动30%以上的原因说明: (1)报告期末,货币资金同比上升 1154.31%,主要是公司收到首 次公开发行股票募集资金所致。 (2)报告期末,应收账款同比上升 111.73%,主要是随着营业收入增加而增长。 (3)报告期末,预付款项同比上升 190.08%,主要是销售需求增加,存货采购增加,预付款项 相应增长。 (4)报告期末,其他应收款同比上升 61.98%,主要是本期应收出口退税款和应收保证金增加所 致。 (5)报告期末,存货同比上升 134.74%,主要是销售需求增长带来的原材料在产品增加以及发 出商品增加。 (6)报告期末,其他流动资产同比上升 188.26%,主要是待抵扣进项税金增加所致 。 (7)报告期末,长期股权投资同比上升 68.92%,主要是长期股权投资权益法核算下本期投资收 益增长所致。 (8)报告 期末,其他非流动金融资产 本年新增,主要是本期新增对外股权投资所致。 (9)报告期末,固定资产同 比上升 38.51%,主要是随业务增长而引起的机器设备及计算机等电 子设备资产增加。(10)报告期末,在建工程同比上升148.73%,主要是本期临港项目土建增加所致。 (11)报告期末,使用权资产 本年新增,主要是根据新租赁准则租赁期超过一年的租赁确认使用 权资产。 (12)报告期末,长期待摊费用同比上升 40.18%,主要是随业务增长而增加的新厂房装修所致。 (13)报告期末,递延所得税资产同比上升 34.56%,主要是子公司可抵扣亏损增加所致 。 (14)报告期末, 短期借款同比下降 64.07%,主要是银行贷款减少所致。 (15)报告期末,应付账款 同比上升 151.22%,主要是随着销售订单 需求增长,原材料采购增加所致。 (16)报告期末,合同负债同比上升 323.52%,主要是随业务增长而收到的客户预付款增加所致 。 (17)报告期末,应付职工薪酬同比上升 78.78%,主要是随着业务增长及员工人数增长,本期 期末计提奖金余额较上期期末增加所致。 (18)报告期末,应交税费同比上升 127.42%, 主要是随员工人数增长本期末应交个人所得税较上期期末数增加及所属子公司应交所得税较上期期末数增加所致。 (19)报告期末,其他应付款同比上升 148.33%,主要 是应付发行费用和应付装修工程款等增长所致。(20)报告期末,一年内到期的非流动负债同比上升184.66%,主要是根据新租赁准则一年内到期的租赁负债以及长期借款一年内到期的本金比较上期期末数增加所致。 (21)报告期末,租赁负债 本年新增,主要是根据新租赁准则,一年以上到期的租赁负债所致。 (22)报告期末,长期应付职工薪酬同比上升 75.25%,主要是本公司之子公司盛美韩国根据法 律规定预提的退职金随员工人数增加而增长所致。 (23)报告期末,预计负债同比上升 42.41%,主要是根据销售协议预提质保期内产品质量保证 金,随销售收入增加而增长所致。2. 境外资产情况 (1) 资产规模 (2) 境外资产占比较高的相关说明 3. 截至报告期末主要资产受限情 况项目 (四) 行业经营性信息分析 (五) 投资状况分析 对外股权投资总体分析 本报告期末,公司对外股权投资余额为5150.03万元,系公司对联营投资公司股权投资余额。 1. 重大的股权投资 投资公司名称 主要业务 投资 方式 报告期内实 际投资额 于本报告 期末持股 比例 资金来 源 合作方 投资期 限 产品类 型 截至本报 告期末的 进展程度 本期投资 盈亏 是否 涉诉 合肥石溪产恒 集成电路创业 投资基金合伙 企业(有限合 伙) 创业投资、 咨询及创业管理服务增资人民币3千万元自筹资金无长期投资管理已完成全部出资万元否2. 重大的非股权投资3. 以公允价值计量的金融资产项目性质 (六) 重大资产和股权出售 (七) 主要控股参股公司分析 公司名称 主营业务 注册资本 持股比例 总资产 半导体专用设备的销售,盛美上海 出口业务销售平台港币10元92,810.21132,167.241,052.00盛帷半导体拟从事半导体专用设备的研发、生人民币39,266.69设备(上海)有限公司产和销售,正在筹建中,未实际开展业务500万元 (八) 公司控制的 结构化 六、公司 关于公司未来发展的讨论与分析 (一) 行业格局和趋势 1.下游市场需求带动全球半导体专用设备规模持续增长 半导体专用设备市场与半导体产业景气状况紧密相关,其中芯片制造设备是半导体专用设备行业需求最大的领域。未来,随着下游5G通信、计算机、消费电子、网络通信等行业需求的稳步增长,以及物联网、人工智能、汽车电子、智能手机、智能穿戴、云计算、大数据和安防电子等新兴领域的快速发展,集成电路产业面临着新型芯片或先进工艺的产能扩张需求,为半导体专用设备行业带来广阔的市场空间。2.国外厂商在全球半导体专用设备市场占主导,行业集中度较高半导体专用设备行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒,以美国AppliedMaterial、荷兰ASML、美国LAM、日本TEL和DNS、美国KLA等为代表的国际知名企业经过多年发展,凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势,占据了全球半导体专用设备市场的主要份额。全球范围内,美国Applied Materials作为最大的半导体专用设备供应商,在晶圆制造设备的核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球;日本半导体设备公司更擅长制造刻蚀设备、清洗设备、涂胶设备、显影设备、测试设备等产品;荷兰ASML则在高端光刻机领域处于领先地位;美国LAM在刻蚀、清洗、电镀设备领域拥有较强的竞争优势;中国大陆的半导体专用设备企业经过多年来的快速发展,在刻蚀设备、清洗设备及封装测试设备等领域,已具备与全球行业内领先企业竞争的能力。3.中国大陆半导体专用设备市场规模快速发展随着全球半导体产业链不断向中国大陆转移,中国集成电路产业持续快速发展。芯片制造行业,尤其是晶圆制造行业往往设备投资规模庞大。当前,12英寸晶圆制造项目投资以数十亿甚至百亿美元计。晶圆制造的技术复杂,工艺步骤繁多,生产所需的设备种类较多,单一设备的效率、可靠性等将直接影响整条生产线的工作效率和芯片产品的良率,因此晶圆制造企业对新设备的选择非常慎重,需要经过验证周期,首先确保其在技术先进性、设备可靠性上符合其要求,之后才会考虑诸如经济性等商业条件,决定是否采购,是否实际用于生产。近年来,随着中国对半导体产业的高度重视,中国部分半导体专用设备企业经过了十年以上的技术研发和积累,在部分技术领域陆续取得了突破,成功地通过了部分集成电路制造企业的验证,成为了制造企业的设备供应商。虽然中国半导体专用设备企业销售规模不断增长,但整体国产率还处于较低的水平,目前中国半导体专用设备仍主要依赖进口。综上,随着中国半导体专用设备行业部分企业的技术突破,中国半导体专用设备产业的发展进程预计将提速。 (二) 公司发展战略 公司立足自主创新,通过多年的技术研发和工艺积累,成功研发出全球首创的SAPS、TEBO 兆声波清洗技术和Tahoe单片槽式组合清洗技术,可应用于45nm及以下技术节点的晶圆清洗领域,可有效解决刻蚀后有机沾污和颗粒的清洗难题,并大幅减少浓硫酸等化学试剂的使用量,在帮助客户降低生产成本的同时,满足节能减排的要求。公司的兆声波单片清洗设备、单片槽式组合清洗设备及铜互连电镀工艺设备领域的技术水平达到国际领先或国际先进水平。截至2021年12月31日,公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利347项,其中境内授权专利156项,境外授权专利191项,其中发明专利共计342项,并获得“上海市集成电路先进湿法工艺设备重点实验室”称号;公司是“20-14nm铜互连镀铜设备研发与应用”和“65-45nm铜互连无应力抛光设备研发”等中国“02专项”重大科研项目的主要课题单位;2020年12月,公司“SAPS(空间交变相位移)兆声波清洗技术”获得上海市科学技术奖一等奖。公司于2020年推出立式炉管设备,完成了由湿法设备向干法设备的跨越,公司现正在开发两款全新设备,可使公司产品可服务市场规模翻倍,预计该两款产品今年可进入客户端验证,加快公司“技术差异化,产品平台化,客户全球化”的战略部署。公司自设立以来,始终专注于半导体专用设备领域,旨在以持续的研发团队建设,吸引高端专业人才,通过自主研发提升科技创新能力;通过有力的市场开拓,提升市场占有率;通过不断的推出差异化的新产品、新技术,提升公司的核心竞争力,扩大公司的收入和利润规模,为股东创造价值,持续提升市场占有率。公司将努力抓住中国半导体行业的快速发展机遇,充分发挥公司已有市场地位、技术优势、工艺积累和行业经验,密切关注全球半导体专用设备行业的前沿技术,确保公司产品品质、核心技术始终处于中国行业领先地位,并奋力赶超全球先进水平。公司将在现有产品的基础上实现产品性能和技术升级,持续跟踪新兴终端市场的变化,确保公司产品与市场需求有效结合。 (三) 经营计划 公司将紧紧围绕整体发展战略,以技术创新为核心发展动力,以市场为导向,不断提高经营 管理水平,通过技术突破、新产品研制开发、人才培养、市场开拓、兼并收购、内控建设等多方面工作,加强公司领先优势,加快战略项目拓展,巩固并提升市场占有率,在保持合理的毛利率的同时,扩大公司的收入规模,为客户及股东创造价值。 1、产品研发方面 公司将不断完善研发管理机制和创新激励机制,对在技术研发、产品创新、专利申请等方面 做出突出贡献的技术研发人员给予奖励,激发技术研发人员的工作热情。公司将持续加大研发投入力度,搭建更好的研发实验环境,为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。设备的研发方面,公司在持续改善现有设备的性能的同时,将根据市场及客户需求,细分产品,开发不同的硬件特征,提高产品针对不同应用的性能,满足不同客户的需求。与此同时,公司会根据客户的研发需求,定义下一大产品的技术指标和技术路线,开发能满足客户需求的新产品。 2、人力资源方面 公司将根据实际情况和未来发展规划,继续引进和培养各方面的人才,同时吸纳全球高端人 才,优化人才结构;公司将加强员工培训,继续完善员工培训计划,形成有效的人才培养和成长机制,通过内外部培训、课题研究等方式,提升员工业务能力与整体素质,在鼓励员工个性化、差异化发展的同时,培养团队意识,增强合作精神,打造世界级的一流人才团队,实现公司可持续发展;同时,公司未来还将根据具体情况对优秀人才持续实施股权或期权激励,将公司利益、个人利益与股东利益相结合,有效的激励优秀人才。 3、市场拓展方面 公司将立足中国大陆芯片制造企业的需求,重点面向中国大陆需求,提高现有产品在已有客 户的市场占有率,加快新客户产品验证的进程,力图实现多客户、多产品同步推进验证工作。同时,公司将在已进入韩国及中国台湾地区市场的基础上,密切关注全球范围内芯片制造生产线的投产计划,紧跟全球半导体行业第一梯队的大客户,提高中国大陆以外国际市场的销售比例,最终成为全球有影响力的半导体装备产业集团。 4、投资并购及合作开发方面 在高度竞争的产业形势下,公司考虑在有机成长的同时,通过投资并购国内外高端的半导体 设备厂商或与海内知名设备厂商进行合作开发,使公司能够覆盖更多的产品品类、占领更多细分市场,为公司的长期可持续成长奠定基础。公司会重点考虑布局清洗设备、芯片制造、封装测试等领域的设备公司,以及其他化合物半导体领域设备公司。 5、内控建设方面 随着公司发展规模的不断扩张,公司将持续加强内控建设,提高公司经营管理水平和风险防 范意识,促进公司高速、稳定、健康发展。结合公司实际情况,全面梳理原有管理制度,在符合内部控制要求的前提下,着眼于管理创新、建立适合本公司的内部控制管理体系,明确相关部门人员的指责和权限,推行全面管理,提倡全员参与,建立彼此连接、彼此约束的内控制度。 (四) 其他 七、公司因不适用准则规定或国家秘密、商业秘密等特殊原因,未按准则披露的情况和原因说明

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